三星開始量產 12 納米 DDR5 DRAM

　　5 月 18 日消息：三星在去年 12 月宣布開發 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。

　　存儲芯片行業當前正處于低谷期，三星通過量產 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。

　　從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。

　　三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數據中心運營商能夠減少能源消耗和碳足跡。

　　該芯片還具有 7.2Gbps 的最大速度，這意味著它可以在大約一秒鐘內處理 60GB，滿足數據中心，AI 和新的計算應用需求。

　　12nm 節點的實現要歸功于三星使用了一種新型高 k 材料，該材料能讓芯片準確區分數據信號的差異。